[发明专利]在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法有效
| 申请号： | 202111280521.3 | 申请日： | 2021-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN114000108B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李勇;张芳;李鹏飞;姬鹏飞;宋月丽;周丰群;田明丽 | 申请（专利权）人： | 平顶山学院 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 石丹丹 |
| 地址： | 467000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体异质结器件技术领域，特别是涉及一种在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法，该方法首先以p型硅为衬底，利用直流磁控溅射技术在硅片上依次沉积Cd和Zn金属纳米层，制备出纳米结构Zn/Cd/Si；然后将纳米结构Zn/Cd/Si在乙二醇溶液中与Se直接反应，制备出ZnSe/CdSe/Si异质结。本发明利用磁控溅射技术和元素直接反应相结合的方法，实现在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe纳米薄膜调控层，一方面，减小了ZnSe/CdSe界面的位错缺陷态密度，另一方面，嵌入的CdSe纳米薄膜调控层易于控制，从而提高了基于ZnSe/CdSe/Si异质结电子器件的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | znse si 异质结 界面 嵌入 cdse 调控 制备 方法 | ||
【主权项】：
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