[发明专利]基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极及其制备方法在审
| 申请号： | 202111281420.8 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114107922A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 刘志远;李光林;赵阳;余潜衡远 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/04;C23C14/20 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 朱伟军;耿慧敏 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极及其制备方法，涉及电极材料技术领域。制备方法包括以下步骤：在经过反应离子刻蚀工艺处理后的高分子柔性基底表面磁控溅射一层金薄膜；其中，金薄膜的厚度为10‑40纳米，金薄膜具有微米和/或纳米尺度的裂纹结构。本申请用于提高柔性金膜电极的可拉伸性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 反应 离子 刻蚀 柔性 拉伸 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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