[发明专利]冷却器和半导体装置在审
| 申请号： | 202111281483.3 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114582820A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 松泽宪亮;小山贵裕;乡原广道 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供冷却器和半导体装置。抑制制冷剂通路的规定部位的局部腐蚀。冷却器(2)包括：顶板(20)，其在一个面形成有散热面(20a)；底板(21)，其与顶板相对配置，厚度大于顶板的厚度；多个散热片(22)，其设于底板；以及周壁部(23)，其形成为沿着底板的外周缘而包围多个散热片的外周。多个散热片和周壁部接合于顶板的散热面。利用由顶板、底板、多个散热片以及周壁部围起来的空间形成制冷剂的流路。顶板侧的电位高于底板侧的电位。 | ||
| 搜索关键词： | 冷却器 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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