[发明专利]一种提高嵌入式Flash良率的处理方法及系统在审
| 申请号： | 202111282734.X | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114003515A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 杨晓刚;朱樟明;魏敬和;鲍宜鹏;苗韵 | 申请（专利权）人： | 中科芯集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G06F12/14;G06F12/16;G06F3/06 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 叶昕;杨立秋 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市滨湖区蠡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提高嵌入式Flash良率的处理方法及系统，属于集成电路领域。对Flash进行擦除后，对Flash每一页进行写操作和读操作，判断该页为正常页还是坏页，出现坏页时直接将该坏页的页地址写入冗余页地址寄存器；当系统总线对Flash进行访问时，将系统总线访问的地址与冗余页地址寄存器中值进行比较，如果比较结果不一致，说明此时系统总线访问的是正常页，无需访问冗余页；如果比较结果一致，说明此时系统总线访问的是坏页，则将冗余页使能位置位，系统总线直接跳过坏页访问冗余备份页；冗余页使能位为1时，表示冗余页替换坏页生效，系统总线对Flash坏页的读写操作都将映射到冗余页上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 嵌入式 flash 处理 方法 系统 | ||
【主权项】：
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