[发明专利]包括布线接触插塞的半导体存储器装置在审

专利信息
申请号: 202111283513.4 申请日: 2021-11-01
公开(公告)号: CN114446962A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 孙镛赫;李俊雨;赵星东 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;肖学蕊
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体存储器装置,包括:衬底,其包括单元区域和外围区域;多个电容器,其包括布置在单元区域中的多个下电极、覆盖多个下电极的多个电容器介电层和位于多个电容器介电层上的上电极;蚀刻停止层,其覆盖上电极;填充绝缘层,其覆盖蚀刻停止层,并且布置在单元区域和外围区域中;多条布线,其位于填充绝缘层上;以及第一布线接触插塞,其将多条布线中的至少一条电连接到上电极。上电极包括第一上电极层和第二上电极层,第一上电极层覆盖多个电容器介电层并且包括半导体材料,第二上电极层覆盖第一上电极层并且包括金属材料。
搜索关键词: 包括 布线 接触 半导体 存储器 装置
【主权项】:
暂无信息
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