[发明专利]半导体器件的量测方法在审
| 申请号： | 202111287698.6 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN114088752A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 周鹏程;陈静;魏强民 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N23/20091 | 分类号： | G01N23/20091;G01N23/20;G01N23/2251;H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 赵伟 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的量测方法，包括：获取作为待测物件的半导体器件的图像，半导体器件包括衬底和位于衬底上的半导体结构；在图像上选取检测区，并对检测区利用能谱仪进行能谱分析，获取检测区的元素谱图；将元素谱图中的第一元素的第一目标峰和第二元素的第二目标峰进行分峰拟合，获取拟合元素分布谱图；根据拟合元素分布谱图获得第一元素的原子比例和/或第二元素的原子比例，以供判断第一元素的气孔大小，通过该方法能准确且快速地获取半导体结构中气孔的情况，以提高测试的准确率和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111287698.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
