[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202111291396.6 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114447110A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 佐藤克己 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 得到能够提高寄生二极管的通电性能的半导体装置。多个第一控制电极(8)在俯视观察时在第一方向上延伸，多个第二控制电极(11)在俯视观察时在第二方向上延伸。将与多个第一控制电极(8)相对的半导体基板(1)的表面处的第二半导体层(3)和多个第三半导体层(4)间的边界线的第一方向上的长度的总和设为第一栅极总宽度(ΣG1W)。将与多个第二控制电极(11)相对的半导体基板(1)的表面处的第四半导体层(5)和多个第五半导体层(6)间的边界线的第二方向上的长度的总和设为第二栅极总宽度(ΣG2W)。将第二栅极总宽度(ΣG2W)除以第一栅极总宽度(ΣG1W)而得到的栅极宽度比(ΣG2W/ΣG1W)大于或等于1.0。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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