[发明专利]N型和P型鳍式晶体管的集成电路结构在审
| 申请号： | 202111292193.9 | 申请日： | 2021-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN114121952A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 翁文寅 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型和P型鳍式晶体管的集成电路结构，N型和P型鳍式晶体管分别形成于第一和第二鳍体上，在第一和第二鳍体上分别具有第一和第二扩散区切断结构。第一扩散区切断结构的第一介质层采用应力材料使第一扩散区切断结构具有第一应力。第一扩散区切断结构的第二介质层采用应力材料使第二扩散区切断结构具有和第一应力不同的第二应力，第一应力按照改善第一沟道区的载流子迁移率要求设置，第二应力按照改善第二沟道区的载流子迁移率的要求设置。本发明能消除鳍体的扩散区切断结构的应力对晶体管的性能的不利影响并同时利用鳍体的扩散区切断结构的应力来同时改善N型和P型鳍式晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 型鳍式 晶体管 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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