[发明专利]一种低温烧结改性NiO-Ta2有效

专利信息
申请号: 202111292700.9 申请日: 2021-11-03
公开(公告)号: CN113860871B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 邢孟江;曲明山;杨鸿宇;孙成礼 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01B3/12 分类号: H01B3/12;C04B35/495;C04B35/622;C04B35/64
代理公司: 北京新科华领知识产权代理事务所(普通合伙) 16115 代理人: 吴变变
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于电子陶瓷及其制造领域,具体为一种低温烧结改性NiO‑Ta2O5基微波介质陶瓷材料及其制备方法。是以离子掺杂改性为指导依据,不仅考虑到以相近半径的离子进行取代,如Zn2+取代Ni2+离子,V5+取代Ta5+离子;同时选择的掺杂氧化物仍具有低熔点的性质。因此可以实现改善NiO‑Ta2O5基陶瓷材料微波介电性能的同时仍能降低适宜的烧结温度。在本发明中,通过调节各原料的摩尔含量,直接一次合成了具有低温烧结、温度稳定且微波介电性能优异的NiO‑Ta2O5基陶瓷材料,可广泛应用于LTCC技术领域。
搜索关键词: 一种 低温 烧结 改性 nio ta base sub
【主权项】:
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