[发明专利]一种图案化二维半金属薄膜的方法及其应用在审
申请号: | 202111294178.8 | 申请日: | 2021-11-03 |
公开(公告)号: | CN114023848A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 杨玉珏;刘子浩;黄颖;束开翔;董华锋;张欣;吴福根 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/109 |
代理公司: | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人: | 仵乐娟 |
地址: | 510006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
本发明涉及一种图案化二维半金属薄膜的方法及其应用,其包括在基底上旋涂光刻胶层后加热所述光刻胶层;曝光、显影形成图案化的光刻胶层;在图案化的光刻胶层上沉积预定厚度的Pt层;将沉积有Pt层的基底放置于第一无水乙醇中去除光刻胶层,随后将基底放置于第二无水乙醇中超声预定时间形成图案化的Pt层,所述超声的能量密度为42~54W/cm |
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搜索关键词: | 一种 图案 二维 金属 薄膜 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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