[发明专利]斜面探测器件封装结构及其制作方法有效
申请号: | 202111296649.9 | 申请日: | 2021-11-04 |
公开(公告)号: | CN113725303B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 闫志超;黄小辉;李大超 | 申请(专利权)人: | 至芯半导体(杭州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/02;H01L31/18 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 李胜强 |
地址: | 310000 浙江省杭州市钱塘新*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开一种斜面探测器件封装结构,包括金属底座、绝缘功能模块、探测器芯片、第一金属导通柱和金属帽管。通过将信号接收窗口、探测器芯片均设置为与待测斜面平行,不仅能够在探测器件性能良好的状况下直接对待测斜面结构进行探测,藉以满足斜面结构探测应用对探测器件的需求,而且能够使探测器芯片接收到由信号接收窗口射入的全部辐射通量(比如光线等),相较于传统的金属管帽将信号接收窗口设置于管帽顶部,能够更好地保证应用环节对辐射通量的需求,提升探测器件对斜面结构的探测精度,进而解决现有技术存在的探测器件性能较差以及由于辐射通量接收率低而影响探测器件探测精度的问题。 | ||
搜索关键词: | 斜面 探测 器件 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的