[发明专利]斜面探测器件封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202111296649.9 申请日: 2021-11-04
公开(公告)号: CN113725303B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 闫志超;黄小辉;李大超 申请(专利权)人: 至芯半导体(杭州)有限公司
主分类号: H01L31/0203 分类号: H01L31/0203;H01L31/02;H01L31/18
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 李胜强
地址: 310000 浙江省杭州市钱塘新*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开一种斜面探测器件封装结构,包括金属底座、绝缘功能模块、探测器芯片、第一金属导通柱和金属帽管。通过将信号接收窗口、探测器芯片均设置为与待测斜面平行,不仅能够在探测器件性能良好的状况下直接对待测斜面结构进行探测,藉以满足斜面结构探测应用对探测器件的需求,而且能够使探测器芯片接收到由信号接收窗口射入的全部辐射通量(比如光线等),相较于传统的金属管帽将信号接收窗口设置于管帽顶部,能够更好地保证应用环节对辐射通量的需求,提升探测器件对斜面结构的探测精度,进而解决现有技术存在的探测器件性能较差以及由于辐射通量接收率低而影响探测器件探测精度的问题。
搜索关键词: 斜面 探测 器件 封装 结构 及其 制作方法
【主权项】:
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