[发明专利]一种分层熔体结构及依次打断导体和分层熔体的激励保护装置在审
| 申请号： | 202111299149.0 | 申请日： | 2021-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN113871273A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 戈西斌;王欣;石晓光;段少波 | 申请（专利权）人： | 西安中熔电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01H85/055 | 分类号： | H01H85/055;H01H85/12 |
| 代理公司： | 西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61259 | 代理人： | 胡思棉 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市雁塔区高新区锦业路*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种分层熔体结构及依次打断导体和分层熔体的激励保护装置，包括至少两根熔体，所述熔体上下分层设置，所述熔体两端并联连接形成连接端。本发明的激励保护装置，包括壳体，激励源、冲击装置、导体，在所述导体上还并联连接有本发明的分层熔体结构；当激励源驱动冲击装置动作断开所述导体后，所述冲击装置依次断开所述分层熔体结构上的各层熔体。本发明的分层熔体结构可提高激励保护装置的灭弧能力和分断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分层 结构 依次 打断 导体 激励 保护装置 | ||
【主权项】：
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