[发明专利]一种避免单面化学镀漏液的方法及半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 202111300105.5 | 申请日： | 2021-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN114242562A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 杨凌辉;黎哲;邓方圆;吴荣成;刘晗 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 绍兴市知衡专利代理事务所(普通合伙) 33277 | 代理人： | 邓爱民 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明针对采用Taiko工艺减薄后的晶圆需进行单面化学镀而设计，主要目的是避免单面化学镀环节发生漏液问题，涉及避免单面化学镀漏液的方法及半导体器件制造方法，是将形成Taiko环的晶圆装载于固定架上，令Taiko环所在面粘附在固定架中部的装载膜上，装载膜外圈用刚性支撑环固定；对固定好的晶圆进行环切，去除晶圆上的Taiko环，然后将环切后仍装载于固定架上的晶圆与固定架一起放入镀液中进行单面化学镀。本发明相较于现有单面化学镀工艺方法，省去了化学镀之前贴膜及化学镀之后的揭膜工序，将原有工艺中化学镀后的环切提前到化学镀前进行，消除了Taiko环带来的漏液影响，令工艺简化，提升了产品外观及应用可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 单面 化学 镀漏液 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
