[发明专利]一种C/HfC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202111301230.8 | 申请日： | 2021-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN113912407B | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 杨良伟;陈昊然;孙娅楠;杨小健;孙同臣 | 申请（专利权）人： | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/56;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人： | 刘晓 |
| 地址： | 100074 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种C/HfC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法。所述方法包括：提供碳/碳基体；配制包含有聚铪氧烷、聚碳硅烷、碳源前驱体和有机溶剂的铪硅陶瓷前驱体；所述铪硅陶瓷前驱体中含有的铪与含有的硅的摩尔比为(2～10)：1；以所述铪硅陶瓷前驱体作为反应物，通过浸渍裂解法与所述碳/碳基体反应，制得C/HfC超高温陶瓷基复合材料；进行裂解的温度为1450～1750℃。本发明充分发挥碳化铪超高熔点的优势，以铪硅陶瓷前驱体作为反应物，通过浸渍裂解法，进一步提高C/HfC超高温陶瓷基复合材料的烧结性能，从而有效解决了C/HfC超高温陶瓷基复合材料烧结温度过高导致碳纤维受损伤的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hfc 超高温 陶瓷 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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