[发明专利]一种二维材料转移至孔洞衬底上的方法在审
| 申请号： | 202111307372.5 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN113851371A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张学骜;邓楚芸;苏悦;卫月华;郑晓明;陈扬波;刘金鑫 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森;戴深峻 |
| 地址： | 361005 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种二维材料转移至孔洞衬底上的方法，涉及二维材料转移。PDMS薄膜贴在载玻片上；二维材料块体剥离至PDMS薄膜上；在显微镜下将多余部分的PDMS薄膜剪切；得到带有材料的载玻片固定于二维材料转移台的基片卡槽内；将带有孔洞的硅衬底吸附于转移台的样品座上；将材料对准Si衬底上的孔洞，升温使PDMS薄膜与Si衬底部分接触；继续升温使得PDMS薄膜自发地与Si衬底贴合紧密；降温使PDMS薄膜与Si衬底分离。通过改变温度调整PDMS薄膜粘性，实现二维材料转移至带有孔洞的硅衬底上。为纯干法转移，转移后的样品表面干净，且操作简单，除转移台外，不需要借助过多实验仪器，仅通过对PDMS薄膜的温度控制即可实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 材料 转移 孔洞 衬底 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111307372.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
