[发明专利]半导体元件、半导体装置在审
| 申请号： | 202111312118.4 | 申请日： | 2021-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN114497200A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 小西和也;西康一;古川彰彦 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739;H01L27/07 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供能够使Cgc/Cge的比值变大的半导体元件和半导体装置。特征在于，具有：发射极电极，其形成于半导体基板之上；栅极电极，其形成于该半导体基板之上；第1导电型的漂移层，其形成于该半导体基板之中；第1导电型的源极层，其形成于该半导体基板的上表面侧；第2导电型的基极层，其形成于该半导体基板的上表面侧；集电极电极，其形成于该半导体基板之下；以及2层哑有源沟槽，其在该半导体基板的沟槽的内部，在上层具有不与该栅极电极连接的上层哑部，在下层具有与该栅极电极连接、被绝缘膜覆盖的下层有源部，该下层有源部的长度方向长度比该下层有源部的宽度大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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