[发明专利]一种集成的紫外光电晶体管放大电路结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种集成的紫外光电晶体管放大电路结构及其制备方法，晶体管包括：N型4H‑SiC衬底；依次设置于所述N型4H‑SiC衬底上表面的P型4H‑SiC缓冲层和N型4H‑SiC外延层；BJT结构和MOSFET结构，设置于所述N型4H‑SiC外延层上；体电阻结构，设置于所述BJT结构和所述MOSFET结构之间的所述N型4H‑SiC外延层上；隔离结构，设置于相邻所述BJT结构与所述体电阻结构之间，以及相邻所述体电阻结构与所述MOSFET结构之间；氧化保护结构，设置于所述BJT结构、所述MOSFET结构和所述体电阻结构上；互联结构，连接所述BJT结构和所述体电阻结构，以及连接所述体电阻结构和所述MOSFET结构。本发明实现了紫外光电信号的高效转换，以及体电阻设计思路为碳化硅集成电路的匹配设计提供基础。