[发明专利]一种氧化钴多孔纳米片及其制备方法与应用有效
申请号: | 202111315751.9 | 申请日: | 2021-11-08 |
公开(公告)号: | CN114011412B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 李媛;王国鹏;陈康莉;王继东;韩树民 | 申请(专利权)人: | 燕山大学 |
主分类号: | B01J23/75 | 分类号: | B01J23/75;B01J23/755;B01J35/02;B01J35/04;B01J35/10;B82Y30/00;B82Y40/00;C01B3/06;C01G51/04 |
代理公司: | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人: | 范盈;李玉娜 |
地址: | 066004 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: |
一种氧化钴多孔纳米片及其制备方法与应用,属于催化剂制备技术领域。本发明提供了一种氧化钴多孔纳米片是通过获得硫掺杂氢氧化钴前驱体,再干燥后,进行两段高温焙烧后冷却制备得到的。该氧化钴多孔纳米片的厚度为5‑20nm。还提供了该氧化钴多孔纳米片的制备方法和应用。该氧化钴多孔纳米片可以负载金属纳米颗粒制成复合催化剂,所制备的Co/CoO催化剂用作高活性的硼氢化钠水溶液产氢催化剂,产氢速率高达3345ml |
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搜索关键词: | 一种 氧化钴 多孔 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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