[发明专利]一种双激发压力记忆装置有效

专利信息
申请号: 202111318338.8 申请日: 2021-11-09
公开(公告)号: CN114199423B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 江诚鸣;陶志远;孙楠;曾丽君;彭艳;徐睿文;夏嘉临 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: G01L1/18 分类号: G01L1/18;G11C11/56;G11C16/06
代理公司: 辽宁鸿文知识产权代理有限公司 21102 代理人: 苗青
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于柔性压力传感器制备技术领域,涉及一种双激发压力记忆装置,由DPM装置矩阵组成,DPM装置矩阵由压电忆阻器阵列和压电OLED阵列,以均匀构型正交排列构成。利用MoOx忆阻材料的压电光敏和压电电敏的两性特性,实现具有感知与存储一体的电子皮肤记忆系统;利用压电纳米线能够在微量应变条件下,实现材料禁带宽度的调制和提升其光电转化效率特点,利用压电发光效应和压电通道效应,压电纳米线禁带宽度的调制可实现控制门与通道的双重增益,该器件能够实现超高动态范围和强压灵敏度,从而获得具有强对比度和高精细度的应力分布输出信号。本发明对压力记忆的存储时间长而稳定,并可以通过复位电压擦除和刷新,具有良好应用前景。
搜索关键词: 一种 激发 压力 记忆 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111318338.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top