[发明专利]一种双激发压力记忆装置有效
申请号: | 202111318338.8 | 申请日: | 2021-11-09 |
公开(公告)号: | CN114199423B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 江诚鸣;陶志远;孙楠;曾丽君;彭艳;徐睿文;夏嘉临 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18;G11C11/56;G11C16/06 |
代理公司: | 辽宁鸿文知识产权代理有限公司 21102 | 代理人: | 苗青 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: |
本发明属于柔性压力传感器制备技术领域,涉及一种双激发压力记忆装置,由DPM装置矩阵组成,DPM装置矩阵由压电忆阻器阵列和压电OLED阵列,以均匀构型正交排列构成。利用MoO |
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搜索关键词: | 一种 激发 压力 记忆 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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