[发明专利]一种具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结在审
| 申请号： | 202111319734.2 | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN114171675A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 孟皓;迟克群 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨天娇 |
| 地址： | 311100 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结，包括自由层和势垒层，自由层和势垒层之间生成界面，并通过刻蚀处理界面的边缘形成环状缺陷结构。该结构在自由层和势垒层界面处具有环状缺陷结构，环状缺陷结构的界面诱导垂直各向异性较低，从而使自由层整体垂直各向异性能下降，同时在磁性隧道结边缘处形成面内磁化方向，有利于降低临界翻转电流，并且提高磁翻转速度、存储密度和运行速度，同时降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 功耗 存储 密度 磁性 隧道 | ||
【主权项】：
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