[发明专利]一种自隔离非对称垂直型瞬态电压抑制保护器件有效
| 申请号： | 202111325282.9 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN113764406B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 朱伟东;赵泊然 | 申请（专利权）人： | 江苏应能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 丁燕华 |
| 地址： | 213002 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自隔离非对称垂直型瞬态电压抑制保护器件，包括P型衬底、N型基区、P型基区、第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第一表面结构和第二表面结构，第一表面结构包括第一场氧化层和第二电极金属层，第二表面结构包括第二场氧化层和第二电极金属层。本发明将NPN与PNP进行垂直整合，内部实现自隔离的同时，通过调整NPN与PNP基区掺杂浓度来调整其工作电压，很好地规避了二极管串带来的问题，既实现两个方向不同的维持电压Vh与回扫特性，又实现器件内部自隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 对称 垂直 瞬态 电压 抑制 保护 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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