[发明专利]一种基于GaAs衬底制备InP薄膜的方法有效
| 申请号： | 202111325697.6 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114134565B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏飞;王岩;罗帅;季海铭 | 申请（专利权）人： | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 42228 | 代理人： | 邓寅杰 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州市邳*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于GaAs衬底制备InP薄膜的方法，包括以下步骤：（1）选择一GaAs衬底；（2）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；（3）在GaAs缓冲层上制备复合缓冲层，复合缓冲层由石墨烯层和Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 gaas 衬底 制备 inp 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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