[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111325824.2 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114023809A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 张永杰;李浩南;周永昌;黄晓辉;董琪琪 | 申请（专利权）人： | 飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 樊文娜;刘荣娟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请技术方案提供一种半导体结构及其形成方法，其中所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括第一外延层；掺杂柱，分立的位于所述第一外延层中；第一JFET区，位于部分所述掺杂柱上；第二JFET区，位于相邻所述掺杂柱之间的部分所述第一外延层上；阱区，位于所述第一JFET区和所述第二JFET区上；源区，自所述阱区表面延伸至所述阱区中；掺杂区，位于相邻所述源区之间且延伸至所述掺杂柱的表面；栅极结构，位于所述源区和所述阱区中并延伸至所述第一JFET区和所述第二JFET区之间，且所述栅极结构的整个或部分底部与所述掺杂柱邻接。本申请技术方案可以降低栅极结构底部的电场，减少栅漏电荷以及降低衬底电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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