[发明专利]金刚石在碳化硅衬底上成核密度周期性调制方法有效
| 申请号： | 202111326033.1 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114232089B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 彭燕;胡秀飞;王希玮;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B28/14;C30B25/18 |
| 代理公司： | 常德宏康亿和知识产权代理事务所(普通合伙) 43239 | 代理人： | 霍艳慧 |
| 地址： | 250000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种金刚石在碳化硅衬底上成核密度周期性调制方法，通过在碳化硅衬底的碳面或硅面上制备凹槽。将制备有凹槽的碳化硅衬底放置在CVD设备的生长腔内，通入反应气体和辅助气体进行金刚石颗粒的生长，最后，生长至预设时间后，将所述碳化硅衬底从所述生长腔内取出，观察所述凹槽的底部、侧壁以及外部的金刚石颗粒形貌和成核密度。基于在金刚石颗粒生长过程中，处于凹槽不同的位置接触到等离子体有差异，使得凹槽不同位置的金刚石颗粒成核密度的差异，进而实现金刚石颗粒在碳化硅衬底上成核密度周期性调制。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 碳化硅 衬底 成核 密度 周期性 调制 方法 | ||
【主权项】：
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