[发明专利]一种降低硅片表面金属的清洗工艺在审
| 申请号： | 202111329480.2 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114242563A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张雪;张超仁;曹锦伟;王彦君;孙晨光 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京鑫知翼知识产权代理事务所(普通合伙) 11984 | 代理人： | 张云珠 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种降低硅片表面金属的清洗工艺，S1、将抛光硅片运载至最终清洗剂上载处待料；S2、设定最终清洗机的药液浓度比；温度设定分别为HF槽温度设定为常温，SC‑1槽温度设定为60℃，SC‑2槽温度设定为55℃；S3、开启最终清洗机的臭氧发生装置；S4、将最终清洗机的超声调节为:900±6W；S5、将最终清洗机慢提拉槽的温度设定为常温；S6、保证最终清洗的FFU设置和排风设置的协调性，将风压方向调整为由机体向外排除的状态，保证清洗机的内部环境；S7、工艺调节完毕，再次对设备进行点检，保证无异常后开始加工；S8、清洗完毕后，出厂片盒装载，用干车拉载产品至ICP‑MS金属测试仪范围内，等待金属检验。本发明具备降低硅片表面金属离子和便于清洗的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 硅片 表面 金属 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中环领先半导体材料有限公司，未经中环领先半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111329480.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
