[发明专利]一种基于忆阻器的存储电路及其存储方法在审
| 申请号： | 202111329918.7 | 申请日： | 2021-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN114171070A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 郭梅;窦刚;刘任远;祝永亮 | 申请（专利权）人： | 山东科技大学 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06 |
| 代理公司： | 青岛智地领创专利代理有限公司 37252 | 代理人： | 王晓凤 |
| 地址： | 266590 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于忆阻器的存储电路，包括信号输出单元、寻址单元、交叉阵列单元、存储状态读取单元和信号调节单元；所述信号输出单元能够根据存储数据的需求输出相应的写入或读取信号，读写信号由寻址单元控制并输入到交叉阵列单元；交叉阵列单元中的每个存储单元都能进行四值存储，与二值存储单元相比具有更高的存储密度。本发明提出了基于反馈和脉冲宽度调节的存储方法，该方法更具灵活性和包容性，能够使得忆阻器在具有某些缺陷的情况下进行数据存储，采用基于反馈和脉冲宽度调节的方法来进行存储状态的写入以及重写，能够使得数据存储更加精确。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 忆阻器 存储 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
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