[发明专利]可调控电磁阵元及智能表面有效
| 申请号： | 202111331397.9 | 申请日： | 2021-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN113782980B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 傅随道;沈楠;吴建军;毛胤电;李名定 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01Q19/02 | 分类号： | H01Q19/02;H01Q19/10;H01Q15/24;H01Q21/00;H01Q1/36 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 洪铭福 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供可调控电磁阵元及智能表面。其中，可调控电磁阵元包括反射单元和寄生单元，反射单元包括：至少一个反射金属片；至少一个可调控元件，可调控元件与反射金属片电性连接，可调控元件用于根据调控信号调控电磁阵元的电磁参数；寄生单元设置在反射金属片的周边，寄生单元与反射金属片耦合连接。本申请实施例通过在可调控电磁阵元的反射单元的周边设置寄生单元，以构成寄生智能表面，利用寄生单元和电磁阵元间的耦合效应改变智能表面的本构参数，从而降低智能表面的反射损耗，提高了智能表面相位响应的稳定性，有利于突破阵元布局以及介质基材对智能表面的性能限制，提高多比特多极化RIS方案的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 调控 电磁 智能 表面 | ||
【主权项】：
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