[发明专利]一种晶片贯穿型缺陷的检测方法及装置在审
| 申请号： | 202111332605.7 | 申请日： | 2021-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN114047202A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 陈豆;潘刘晨;方秀亮;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/91 | 分类号： | G01N21/91;G01N21/78;G01N21/01 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片贯穿型缺陷的检测方法及装置，具体涉及半导体缺陷的检测领域。本发明的检测方法包括以下步骤：提供一晶片容纳装置；将涂覆有第一溶液和第二溶液的待检测晶片置于所述晶片容纳装置中；对装有待检测晶片的晶片容纳装置抽真空并在真空状态下保持一段时间；取出所述待检测晶片并观察其表面的颜色变化。利用晶片两侧溶液的颜色变化来判定晶片中贯穿型缺陷的位置。该方法简单易操作，可提高晶片的检测效率。本发明还提供一种晶片贯穿型缺陷的检测装置，该装置结构简单、操作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 贯穿 缺陷 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
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