[发明专利]一种半导体器件有效
| 申请号： | 202111336485.8 | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN113782594B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 杨天应 | 申请（专利权）人： | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔熠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本申请提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的半导体叠层；依次设置于半导体叠层上的钝化层和第一介质层；源极金属、漏极金属和栅极金属依次贯穿第一介质层和钝化层以分别与半导体叠层接触；设置于钝化层和第一介质层之间的场板金属，场板金属位于栅极金属和漏极金属之间。场板金属能够辅助源极场板对栅脚处的电场进行调制，便于提高电场调制效果，并且有利于减小栅极金属的栅帽体积（栅场板体积），从而降低C |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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