[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统在审

专利信息
申请号: 202111337276.5 申请日: 2021-11-12
公开(公告)号: CN114497070A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 安在昊;金智源;黄盛珉;任峻成;成锡江 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11582 分类号: H01L27/11582;H01L27/11573;H01L21/768
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 孙尚白
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统,所述半导体器件包括:第一结构,包括外围电路;以及第二结构,包括:图案结构;上绝缘层;堆叠结构,所述堆叠结构在第一结构与图案结构之间,并且包括彼此间隔开的第一堆叠部和第二堆叠部,第一堆叠部和第二堆叠部分别包括交替堆叠的水平导电层和层间绝缘层;分离结构,穿透堆叠结构;存储器竖直结构,穿透第一堆叠部;以及接触结构,穿透第二堆叠部、图案结构和上绝缘层,其中,接触结构包括:下接触插塞,至少穿透第二堆叠部;以及上接触插塞,接触下接触插塞并且向上延伸以穿透图案结构和上绝缘层。
搜索关键词: 半导体器件 包括 数据 存储系统
【主权项】:
暂无信息
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