[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统在审
申请号: | 202111337276.5 | 申请日: | 2021-11-12 |
公开(公告)号: | CN114497070A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 安在昊;金智源;黄盛珉;任峻成;成锡江 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11582 | 分类号: | H01L27/11582;H01L27/11573;H01L21/768 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 孙尚白 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统,所述半导体器件包括:第一结构,包括外围电路;以及第二结构,包括:图案结构;上绝缘层;堆叠结构,所述堆叠结构在第一结构与图案结构之间,并且包括彼此间隔开的第一堆叠部和第二堆叠部,第一堆叠部和第二堆叠部分别包括交替堆叠的水平导电层和层间绝缘层;分离结构,穿透堆叠结构;存储器竖直结构,穿透第一堆叠部;以及接触结构,穿透第二堆叠部、图案结构和上绝缘层,其中,接触结构包括:下接触插塞,至少穿透第二堆叠部;以及上接触插塞,接触下接触插塞并且向上延伸以穿透图案结构和上绝缘层。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 包括 数据 存储系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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