[发明专利]一种提高多晶硅还原炉能效的高纯石英质硅芯在审

专利信息
申请号: 202111339544.7 申请日: 2021-11-12
公开(公告)号: CN113816383A 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 聂陟枫;王亚君;王晨;郭崎均;宋玉敏;郭婷婷;王海;谢刚 申请(专利权)人: 昆明学院
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035;C04B35/14;C04B35/622
代理公司: 昆明同聚专利代理有限公司 53214 代理人: 谢丹丹
地址: 650214 云南省*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开了一种提高多晶硅还原炉能效的高纯石英质硅芯,本发明将硅芯设置成空心结构且以高纯石英质材料制得,所述高纯石英质硅芯为空心硅芯,所述高纯石英质硅芯替代原多晶硅还原炉内的实心硅芯,所述高纯石英质硅芯以纯度为99.99%以上的高纯度结晶石英为原料,使用胶体处理方法制得;本发明有效克服了传统实心硅芯直径小、沉积面积受限的弊端,大幅度提高了多晶硅化学气相沉积速度,提升了多晶硅还原炉能效。
搜索关键词: 一种 提高 多晶 还原 能效 高纯 石英 质硅芯
【主权项】:
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