[发明专利]高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器在审
| 申请号： | 202111339730.0 | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN113939165A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 刘弘耀;毛赛君;丁育杰 | 申请（专利权）人： | 忱芯电子（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H05K7/20 | 分类号： | H05K7/20;H05K1/18;H01L23/367;H02M1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及功率器件，公开了一种高频高功率密度扁平化SiC MOSFET逆变器，包括位于PCB板上的偶数组单管组，所述单管组阵列设置，每组所述单管组由多个单管并联而成。通过上述技术方案中单管的摆放方式有利于保证各单管在PCB板上的功率回路杂感保持一致，以实现良好的均流特性，且减小整体占用空间。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 功率密度 扁平 sic mosfet 逆变器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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