[发明专利]扩展量程真空测量芯片及其成形方法有效
| 申请号： | 202111344409.1 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN113790846B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 黄立基 | 申请（专利权）人： | 矽翔微机电系统（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01L21/00 | 分类号： | G01L21/00;G01M3/02;H01L27/16 |
| 代理公司： | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人： | 王献茹 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种扩展量程真空测量芯片及其成形方法，涉及真空测量技术领域，包括：基体，基体包括隔热腔；覆盖基体的第一面的第一隔热层，且位于隔热腔上方；设于第一隔热层的第一热敏传感器、第二热敏传感器和热辐射传感器；以及，热电堆传感器，设于基体的第一面，与热辐射传感器间隔设置，且位于热辐射传感器远离第二热敏传感器的一侧。利用热飞行时间原理，通过第一热敏传感器、第二热敏传感器、热辐射传感器和热电堆传感器，根据气体热性质来测量从正压到真空直至高真空的扩展真空范围，该芯片适用于所有扩展量程真空测量，同时，该芯片不受气体组分变化的影响，在真空快速变化时保持其可靠性，并可用于真空泄露的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 扩展 量程 真空 测量 芯片 及其 成形 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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