[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202111344792.0 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN113793838B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 杨天应;刘丽娟;吴文垚 | 申请（专利权）人： | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 陈秋梦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括晶圆本体、导电金属层、背金导电层和金属遮挡层，通过设置金属遮挡层，并在通孔的孔口处形成遮挡结构，能够在芯片焊接或者使用时有效地防止焊料进入到通孔内部，也避免了焊料扩散穿过背金导电层到达第一表面，保证了背金导电层的完整性，进而保证了器件的可靠性。同时，本发明避免了焊料侵蚀通孔侧壁的背金导电层，从而避免了焊料与背金导电层互溶导致的电阻增大现象，也避免了焊料和通孔侧壁基材热膨胀系数差异大导致的芯片机械性能变差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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