[发明专利]一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法在审
| 申请号： | 202111348050.5 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114362703A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;付丹扬;王琦琨;龚建超 | 申请（专利权）人： | 奥趋光电技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02 |
| 代理公司： | 杭州宇信联合知识产权代理有限公司 33401 | 代理人： | 梁群兰 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州市余杭区余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，包括步骤如下：准备一类衬底材料、在一类衬底上生长AlN种子层和GaN剥离层、在GaN剥离层上生长AlN前驱体，AlN前驱体经高温高压热处理技术形成AlN缓冲层，在AlN缓冲层上制备压电层、采用激光剥离技术，将压电层键合至二类衬底材料，形成声波器件用压电薄膜模板。采用本发明的制备方法，在AlN缓冲层和压电层界面处形成位错湮灭层，降低压电层的位错密度，且高温高压热处理工艺避免GaN剥离层的分解及开裂问题。GaN的剥离，避免了二类衬底上直接生长压电薄膜带来的质量差、应力大等问题，为高频、高性能滤波器提供非常有效的材料端解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 声波 器件 压电 薄膜 模板 制备 方法 | ||
【主权项】：
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