[发明专利]氮化物薄膜刻蚀液的再生方法和氮化物薄膜的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202111349536.0 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114249477A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 吴祥;李卫民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C02F9/10 | 分类号： | C02F9/10;H01L21/311;C02F101/16 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物薄膜刻蚀液的再生方法和氮化物薄膜的刻蚀方法。所述再生方法包括将氮化物薄膜湿法刻蚀后产生的刻蚀残液中的刻蚀产物铵根离子进行去除，以实现刻蚀液再生的步骤。本发明通过改善的工艺，可在不停止刻蚀工艺的情况下，在线去除铵根离子，可提高刻蚀液的使用寿命，减少更换刻蚀液的操作，提高生产效率和降低刻蚀成本，同时通过降低废液的排放可以减少环境污染。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 薄膜 刻蚀 再生 方法 | ||
【主权项】：
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