[发明专利]基于复合沟道结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法在审
申请号: | 202111350216.7 | 申请日: | 2021-11-15 |
公开(公告)号: | CN114156340A | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 赵胜雷;吴银河;张进成;刘爽;宋秀峰;王中旭;段小玲;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L29/205;H01L29/20;H01L29/10;H01L21/335 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 王萌 |
地址: | 710000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于复合沟道结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法,该器件自下而上依次包括:衬底、成核层、缓冲层、复合沟道层、势垒层,势垒层上面设有源极、漏极和栅极,栅极位于源极和漏极之间,势垒层、源极、漏极和栅极的上表面均设置有钝化层;其中,复合沟道层包括位于底层的GaN层,和位于GaN层上的若干AlGaN层,源极和漏极自势垒层上表面向下延伸至复合沟道层中的GaN层。本发明提供的基于复合沟道结构的高电子迁移率晶体管相比传统器件,同时改善了器件的击穿特性和导通特性,进而大幅度地提高了器件的功率品质因数。 | ||
搜索关键词: | 基于 复合 沟道 结构 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111350216.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种输电线路风速监测方法、装置及存储介质
- 下一篇:企业挖掘方法及装置
- 同类专利
- 专利分类