[发明专利]一种制备单面氧化超薄硅片的装置及方法

摘要

本发明涉及一种制备单面氧化超薄硅片的装置及方法。本发明包括：第一基板、第二基板和密封件，所述第二基板设有镂空部分，所述第一基板与第二基板可互相连接与拆卸；待减薄的硅片的两面通过密封件固定于第一基板与第二基板之间，所述待减薄的硅片需保留氧化层的一面朝向金属基板，所述待减薄的硅片待除去氧化层的表面暴露于所述镂空部分。本发明提供了一种制备单面氧化超薄硅片的装置和方法，能够有效的对硅片一侧氧化层进行保护，并且提供充足的应力释放空间，避免硅片在加工过程中由于受力不均被破坏，能够简单、低成本的实现单面氧化超薄硅片的制备。