[发明专利]半导体超结功率器件在审
| 申请号： | 202111359722.2 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN116137289A | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;刘伟;袁愿林;王睿 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 岳晓萍 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括：n型漏区；位于所述n型漏区之上的n型漂移区；若干个宽度相同的p型柱，相邻的两个所述p型柱之间的间距相同；所述p型柱顶部设有第一p型体区，所述第一p型体区的宽度相同，所述第一p型体区内设有第一n型源区；介于相邻两个所述第一p型体区之间的两个栅沟槽，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极；所述栅沟槽设有至少两种不同的宽度，使得相邻两个所述第一p型体区之间的两个所述栅沟槽之间的间距具有至少两种不同的间距值。本发明可以调节半导体超结功率器件的栅漏电容的变化曲线，并降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
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