[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202111360459.9 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN114792679A | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 孙海东 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 马建军;李银花 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供半导体装置，无论可否进行引线框架连接盘的双键合，都能够应对任何封装。一种半导体装置，其特征在于，具有：运算放大器(2)；反馈电阻(6)；基准电压产生电路(7)；输出晶体管(5)；第1连接盘(3a)，其与输出晶体管(5)的输出端子连接，通过键合线(4a)与引线框架连接盘(10)选择性地连接；第2连接盘(3b)，其通过键合线(4b)与引线框架连接盘(10)选择性地连接；以及连接切换元件(8)，其设置在第1连接盘(3a)与第2连接盘(3b)之间，在第2连接盘(3b)通过键合线(4b)与引线框架连接盘(10)连接的情况下，连接切换元件(8)将第1连接盘(3a)与第2连接盘(3b)之间切断。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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