[发明专利]一种吸收发射比可调的智能热控器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111365726.1 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114136015A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李俊峰;王萌;孙理理;姜舟;罗正平 | 申请（专利权）人： | 航天材料及工艺研究所 |
| 主分类号： | F24S70/60 | 分类号： | F24S70/60;F24S70/20;G02F1/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100076 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种吸收发射比可调的智能热控器件及其制备方法，属于电子元器件技术领域，智能热控器件包括低吸收低发射层或低吸收高发射层其中一种和电致变色层，智能热控器件的制备方法包括：制备电致变色层；在制备的电致变色层背面沉积低吸收低发射层或低吸收高发射层；沉积的低吸收低发射层或低吸收高发射层厚度达到预定厚度时，完成吸收发射比可调的智能热控器件的制备，低吸收低发射层或低吸收高发射层的预定厚度根据电致变色层的红外光谱发射率、厚度以及所用低吸收低发射层或低吸收高发射层材料的太阳光谱吸收率、红外光谱发射率确定。解决了现有智能热控器件无法调控自身吸收发射比的问题，具有突出的实质性特点和显著的进步。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 吸收 发射 可调 智能 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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