[发明专利]半导体封装结构的制作方法及半导体封装结构在审
| 申请号： | 202111369780.3 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114121688A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 刘飞 | 申请（专利权）人： | 矽磐微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体封装结构的制作方法及半导体封装结构，通过形成图形化的感光膜，在所述图形化的感光膜上浇筑液态熔融锡而形成锡连结构，所述锡连结构包括位于多个开口内的多个锡体结构和与所述多个锡体结构连接并且覆盖所述图形化的感光膜的锡层，去除所述锡层而得到多个相互独立的锡体结构。在此，所述图形化的感光膜能够阻隔相邻的锡体结构，从而能够避免出现多球、少球或者桥接的问题。进一步的，在本发明提供的半导体封装结构的制作方法及半导体封装结构中，采用液态熔融锡浇筑而形成锡体结构，由此所形成的锡体结构直接就能够和接触垫可靠连接，从而可以不再执行回流工艺，由此也能够简化制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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