[发明专利]栅底电荷平衡改善的碳化硅MOSFET器件及制造方法有效
| 申请号： | 202111370423.9 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114242768B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 任炜强 | 申请（专利权）人： | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/423;H01L21/04;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 孙中勤 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种栅底电荷平衡改善的碳化硅MOSFET器件及其制造方法，器件包括:具有电荷平衡柱的外延片结构、嵌埋式栅极结构、位于顶层的源极结构及位于底层的漏极结构,外延片结构的碳化硅外延层上形成有挖槽后的沟道顺从层。利用位于栅极结构两侧的接触沟槽,源极结构与外延片结构形成非平面的欧姆接触。利用位于栅极沟槽与接触沟槽下方的电荷平衡柱且基本由预置叠层阱所构成,以避免电荷平衡柱穿透到外延片结构的碳化硅衬底。本发明具有规范栅底电荷平衡结的底部深度与外形受到比较好的截面柱形的效果,以解决在沟道顺从层的设置基础上导致电荷平衡结不能调整注入浓度与无法形成结侧柱形与结底深度随沟槽深度变化的电性能不稳定缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 平衡 改善 碳化硅 mosfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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