[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111370872.3 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN116137284A | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 刘轶群 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 201821 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，应用于半导体领域。在本发明提供的半导体器件的制造方法中，由于在所述半导体衬底上形成的真实的鳍结构的底部包含有重掺杂的防止穿通扩散层，以及防止所述防止穿通扩散层中的掺杂离子扩散到所述半导体器件的沟道的扩散抑制层，其中，所述扩散抑制层为第二半导体材料层，从而在保证半导体器件的阈值电压符合设计要求的同时，降低了由沟道穿通效应导致的半导体器件的源漏极之间存在漏电流的问题，进而改善了半导体器件沿鳍结构竖直方向的电压变化和低频下的闪烁噪声的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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