[发明专利]一种采用射频磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法有效
| 申请号： | 202111370877.6 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114059032B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 田宏伟;刘鸿旭;杨俊;于陕升 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 霍苗 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及相变材料技术领域，尤其涉及一种二氧化钒薄膜的制备方法。本发明提供的制备方法包括在真空反应室中，采用射频磁控溅射法，在基底表面溅射二氧化钒后，升高基底温度进行原位退火，得到二氧化钒薄膜；基底和二氧化钒薄膜之间不设置缓冲层；射频磁控溅射的条件为：基底的温度为250～300℃；氩气通入反应室的流速为0.8sccm；氧气通入反应室的流速为40sccm；反应室的气压为0.8Pa；溅射时间为15～20min；溅射功率为95W；原位退火的温度为460～520℃，保温时间为200s；升温至原位退火的温度的时间≤7s。所述制备方法可以在不进行缓冲层设置的前提下，同样得到光学性能良好的二氧化钒薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 射频 磁控溅射 法制 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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