[发明专利]基片横向位移监测和横向对准系统和方法在审
| 申请号： | 202111374376.5 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114156218A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 陈学文;林树培 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 潘行 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及基片横向位移测量和横向对准领域，提供一种基于干涉散射显微技术，通过对基片表面进行显微成像，记录基片表面的散斑信息，获取不同时刻基片的位置信息，实现基片的横向位移监测。进一步地，根据监测的基片横向位移信息，将基片移动到指定位置，实现基片横向对准。其特点在于不依赖标记物，且对照明稳定性要求低，可实现亚纳米级精度的基片横向位移监测和横向对准。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 位移 监测 对准 系统 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
