[发明专利]一种半导体晶圆DIE分布的获取方法在审
| 申请号： | 202111382941.2 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114121704A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 刘庄 | 申请（专利权）人： | 江苏维普光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 常州兴瑞专利代理事务所(普通合伙) 32308 | 代理人： | 肖兴坤 |
| 地址： | 213000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆DIE分布的获取方法，方法的步骤中含有：S01：选取晶圆上某个DIE作为基测DIE和将基测DIE相邻斜角上的DIE作为邻近DIE，对晶圆构建坐标系，获取基测DIE的尺寸及邻近DIE和基测DIE之间的间隔尺寸以及获取晶圆的中心坐标；S02：根据晶圆的尺寸、晶圆的中心坐标、基测DIE的尺寸以及邻近DIE和基测DIE之间的间隔尺寸在晶圆上预排列出DIE的分布，并获得每个预排列的DIE的位置坐标和得到DIE预排列图；S03：在DIE中指定多个特征模板，并获取特征模板相对于DIE的位置坐标；其中，特征模板为DIE中的某一区域。它实现了自动扫描晶圆DIE分布图，消除了繁杂的手工创建DIE分布的操作，缩短了晶圆缺陷检测的总体时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 die 分布 获取 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
