[发明专利]具有锗扩散纳米带沟道结构的全环栅集成电路结构在审
| 申请号： | 202111385884.3 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114664821A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | A·C-H·韦;G·布歇;J·T·卡瓦列罗斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/10;H01L29/12;H01L29/16;H01L29/161 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了具有锗扩散纳米线/纳米带沟道结构的全环栅集成电路结构，以及制造具有锗扩散纳米线/纳米带沟道结构的全环栅集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括在子鳍状物结构上方的纳米线的垂直布置，其中，纳米线的垂直布置中的各个纳米线包括硅和锗，并且其中，子鳍状物结构在子鳍状物结构的顶部处具有比在子鳍状物结构的底部处相对更高的锗浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩散 纳米 沟道 结构 全环栅 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
