[发明专利]栅控二极管整流器在审
| 申请号： | 202111389575.3 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN113823679A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 廖天;高巍;顾航;戴茂州 | 申请（专利权）人： | 成都蓉矽半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸易*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种栅控二极管整流器，包括金属化阴极，重掺杂第一导电类型衬底层，第一导电类型漂移层，P型基区，N+源区和栅极结构；所述栅极结构为平面栅结构，包括栅氧化层，多晶硅层和金属化阳极，其中，栅氧化层覆盖于第一导电类型漂移层之上，其在横向上覆盖了MCR器件的沟道区与部分N+源区上表面，多晶硅层覆盖于栅氧化层之上，金属化阳极覆盖于多晶硅层与第一导电类型漂移层之上；金属化阳极与P型基区接触形成肖特基接触区，本发明通过阳极金属与P型基区的特殊接触，增加了PN结的导通压降，使得器件导通时工作在单极模式，降低了器件的反向恢复时间和电荷，减小了系统的开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 整流器 | ||
【主权项】：
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