[发明专利]一种改善大尺寸硅单晶外延厚度均匀性的装置及操作方法有效
| 申请号： | 202111390290.1 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN113814832B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 朱小燕 | 申请（专利权）人： | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B9/06 | 分类号： | B24B9/06;B24B7/22;B24B41/00;B24B41/06;B24B41/02;B24B47/12;B24B47/00 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权 |
| 地址： | 311201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善大尺寸硅单晶外延厚度均匀性的装置及操作方法，包括加工箱以及分别与加工箱的表面连通的进料输送带和出料输送带，所述加工箱的内腔设置有用于打磨硅单晶的打磨机构、用于固定硅单晶的限位机构、用于放置硅单晶的放置机构和用于翻转硅单晶的翻转机构，打磨机构包括三轴机器人以及固定在三轴机器人运动端表面的打磨盘，本发明涉及硅单晶加工技术领域。该改善大尺寸硅单晶外延厚度均匀性的装置及操作方法，先对硅单晶的正面进行打磨加工，打磨完毕后，通过翻转机构快速的对硅单晶进行翻转，全自动进行正反面翻转，并且通过双工位的设计同时对正反面进行打磨加工，翻转快速高效，大大增加了加工效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 尺寸 硅单晶 外延 厚度 均匀 装置 操作方法 | ||
【主权项】：
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